課程資訊
課程名稱
多元化金氧半積電技術
DIVERSIFIED CMOS IC TECH 
開課學期
96-1 
授課對象
電機資訊學院  電子工程學研究所  
授課教師
郭正邦 
課號
EE5001 
課程識別碼
921 U0020 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期三A,B,C(18:25~21:05) 
上課地點
博理113 
備註
總人數上限:60人 
Ceiba 課程網頁
http://ceiba.ntu.edu.tw/961div 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

Diversified CMOS IC Technology-SOI and BiCMOS

Abstract
Bipolar 數位 IC 是半導體高科技工業最早期之產品,在 1960年代造成最期大型電腦之發
展。1980年代迄今之 CMOS 數位 IC 使微電子半導體工業造成電腦之快速縮小、使社會快
速的資訊化。由 CMOS 所演化出來之 BiCMOS IC 在過去 30 年曾經對數位 IC 造成很大之
衝擊 近年來silicon-on-insulator (SOI) CMOS技術快速成長,現在最快的CPU是由 SOI
CMOS所製造 在21世紀SOI CMOS將成 VLSI之主力技術 此一課程是本人在此領域 20 餘年來
之心得與返母校任教20年來教學與研究之結晶。本課程環繞於多元化CMOS數位IC 製程、元
件、電路,從 BiCMOS 數位 IC 出發至SOI CMOS 之演進過程做出相關之闡述。並且特別重
視與 CMOS 之比較

Table of Contents

1 Introduction--Objectives
(a)CMOS trends, (b) BiCMOS trends, (c) SOI CMOS trends

2.BiCMOS Technology
(a)BiCMOS processing tech, (b) bipolar device structure,
(d) advanced BiCMOS

3 BJT
(a) basics, (b)bandgap narrowing, (c)current gain,
(d)transit time, (d) poly-emitter, (e)base resistance,
(f) high injection, (g) Gummel-Poon Model, (h)ECL transient,
(i) SiGe-base HBT

4. BiCMOS Circuits
(a)static ckt, (b) dynamic ckt, (c) transient analysis,
(d)low-voltage tech, (d) BiCMOS SRAM,

5. SOI CMOS technology
(a)SIMOX, (b)BESOI, (c)ZMR, (d) SOI CMOS tech integration

6. SOI CMOS Devices
(a)FD vs PD, (b) accumulation vs inversion,
(c)threshold volt, (d)SCE/NCE, (e)transients,
(f)kink effects, (g)self heating

7. SOI CMOS circuits
(a)DTMOS tech, (b)DRAM, (c)SRAM,
(d) low-volt ckts

Textbooks
1. J. B. Kuo, Low-Voltage SOI CMOS Devices and Circuits, Wiley, New York
2001 and 2004, ISBN 0471417777, ISBN 9780471464174
2. J. B. Kuo, BiCMOS Digital IC, McGraw-Hill, Taipei, 1996
ISBN 9579453985, ISBN 9579453764
請下載列印公布欄中的BiCMOS講義檔

Website
http://cc.ee.ntu.edu.tw/~jbkuo

Grading
Midterm Exam(40%) Homework(30%) Final Exam or Project(30%)

預修課程
Electronics
 

課程目標
To train students to become experts in the field of SOI CMOS devices and
circuits. 
課程要求
Pre-requisite: Electronics 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
每週五 16:00~17:00 
指定閱讀
 
參考書目
1. J. B. Kuo, Low-Voltage SOI CMOS Devices and Circuits,
Wiley, New York, ISBM 0471417777, ISBN 0471464174, 2001 and 2004.
2. J. B. Kuo, BiCMOS Digital IC, McGraw-Hill Taipei, ISBN 9579453985,
ISBN 9579453764, 1996.
請下載列印公布欄中的BiCMOS講義檔 
評量方式
(僅供參考)
 
No.
項目
百分比
說明
1. 
Midterm Exam 
40% 
 
2. 
Homework 
30% 
 
3. 
Final Exam or Project 
30% 
 
 
課程進度
週次
日期
單元主題
無資料